三星可能凭借其Gate All Around(GAA)工艺在3nm竞赛中处于领先地位，但如果韩国出现新的泄漏是可信的，那么这一工艺的产量尚未达到令人满意的水平。

　　Naver的一份报告显示，三星最初为其第一代和第二代3nm GAA工艺设定了70%的产量目标。然而，这个目标现在似乎遥不可及。

　　据报道，第一次迭代被称为“SF3E-3GAE”，表现相对较好，收益率徘徊在50-60%左右。虽然这比它的弟弟更接近目标，但它仍然没有达到使该技术具有商业吸引力所需的水平。

　　这一缺口似乎是缺乏新客户采用三星3nm GAA流程的关键原因。高通公司决定仅在台积电的3nm“N3E”架构上制造Snapdragon 8 Elite就是一个很好的例子。

　　然而，三星第二代3nm工艺(称为SF3-3GAP)的前景更加严峻。报告显示，其收益率仅为20%，不到最初目标的三分之一。

　　这种缺乏进展可能会进一步削弱人们对三星3nm产品的信心，甚至可能促使韩国客户转向台积电更成熟的3nm技术。

　　三星的3nm GAA技术可能会变得有点头疼。这可以解释为什么该公司似乎正在将资源和人才转移到即将到来的2nm节点上。

　　有传言称，正在使用“SF2P”技术开发代号为“Ulysses”的未命名Exynos芯片组。该芯片预计将在未来的Galaxy S型号中首次亮相，可能是2027年的S27.

　　然而，三星能否克服这些障碍，将其3nm技术确立为可行的替代品，还有待观察。否则，该公司下一代旗舰产品Exynos 2500 SoC的未来也可能受到质疑。

关键词：三星 GAA

免责声明：市场有风险，选择需谨慎！此文仅供参考，不作买卖依据。