全球最大的存储芯片制造商三星电子将继续削减DRAM芯片的产量，至少到今年年底，因为它谨慎地判断增加供应的合适时机。

　　业内消息人士援引三星高管的话说，10月份合约DRAM芯片价格近两年半以来首次反弹，但现在生产存储芯片还为时过早。

　　一位知情人士表示，三星是在最近与投资者和分析师进行的非交易路演中发表上述言论的。

　　消息人士称，这家总部位于韩国水原的芯片制造商将在明年初密切关注市场趋势后，决定何时以及增加多少内存芯片产量。

　　10月，在三星和其他全球芯片制造商从去年第四季度开始减产的帮助下，DRAM合约价格27个月来首次上涨。

　　SK海力士及美光科技和铠侠等同行于2022年底开始削减芯片投资和产量，因为在全球经济放缓的情况下，该行业正因供应过剩而陷入困境。

　　此前一直坚持的市场领导者三星于4月加入了他们的行列，这给市场带来了宽慰，并引发了人们对三星此举将促进早期复苏的希望。

　　自4月以来，三星一直在削减芯片产量，削减DDR4 DRAM和128层NAND闪存等传统芯片的晶圆投入。然而，该公司表示，将继续投资于先进DRAM芯片的基础设施建设，并扩大研发支出，以巩固其长期市场领先地位。

　　第二季度供应标准化

　　行业官员表示，芯片行业最早将在明年第二季度看到DRAM供应的增加，因为晶圆投入的增加需要三到四个月的时间才能导致芯片产量的实际增长。

　　行业观察人士表示，2024年下半年，主要芯片制造商的DRAM芯片供应将有意义地增加。

　　大多数芯片制造商都认为，鉴于客户的NAND芯片库存水平较高，NAND闪存芯片的复苏将晚于DRAM芯片。

　　在保持目前DRAM芯片产量削减的同时，人们普遍预计三星将增加对高带宽存储器（HBM）等先进芯片的产量和投资。

　　本月早些时候，三星以105亿韩元（800万美元）的价格从附属公司三星显示器公司购买了建筑和设施，以扩大其HBM芯片的生产。

　　三星的竞争对手SK海力士也在积极加大对HBM系列DRAM芯片的投资，以保持其在HBM领域的领先地位。

　　知情人士周四表示，该公司已为明年预留了10万亿韩元的设施投资，比今年预计的6万亿-7万亿韩元的资本支出增长了43-67%。

　　消息人士称，2024年增加的支出中，大部分将用于建造HBM3、DDR5和LPDDR5等先进DRAM芯片的设施。

关键词：

免责声明：市场有风险，选择需谨慎！此文仅供参考，不作买卖依据。