SK海力士是仅次于三星电子的全球第二大存储芯片制造商，该公司正在大幅增加DRAM设施的资本支出，以增加先进芯片的生产，因为该公司押注该行业即将好转。

　　知情人士周四表示，SK海力士已为明年预留了10万亿韩元（76亿美元）的设施投资，比今年预计的6万亿-7万亿韩元的资本支出增长了43%-67%。

　　行业观察人士预计，该公司2024年的设施支出将与今年的水平相似。

　　2024年增加的支出中，大部分将用于建造高级DRAM芯片的设施，如高带宽存储器3（HBM3）、DDR5和LPDDR5。

　　该公司还将在HBM芯片制造和加工技术的升级上投入巨资，该技术被称为硅通孔（TSV）。

　　然而，消息人士称，SK海力士计划限制其在NAND闪存芯片上的支出，预计该芯片的市场在明年上半年将继续疲软。

　　SK海力士的官员拒绝证实其2024年的设施投资规模。

　　截至9月底，该公司拥有8.53万亿韩元的可变现资产，其债务权益比率处于84.8%的相对较低水平。

　　2024年HBM芯片销售已满，2025年销量正在谈判中

　　SK海力士副总裁兼DRAM营销主管朴明洙上个月在SK与分析师举行的第三季度财报电话会议上表示，该公司计划明年向客户销售HBM3和升级版HBM3E芯片的计划已被预订一空。

　　他说：“我们已经在与客户和合作伙伴就2025年此类先进DRAM芯片的销量进行谈判。”

　　HBM3是继前几代（HBM、HBM2和HBM2E）之后的第四代DRAM存储器。HBM3E是HBM3的扩展版本，是第五代DRAM存储器。

　　HBM是一种高价值、高性能的存储器，可垂直互连多个DRAM芯片，与早期的DRAM产品相比，大大提高了数据处理速度。

　　HBM系列DRAM的需求越来越大，因为这种芯片为在高性能计算系统上运行的人工智能设备供电。

　　SK海力士高管在7-9月期间连续第四个季度亏损，但他们表示，在人工智能芯片的推动下，他们预计DRAM即将扭亏为盈。

　　该公司表示，随着人工智能生成能力的快速提高，预计未来五年其HBM芯片销量将平均每年增长60-80%。

　　另一方面，该公司对NAND Flash的前景持谨慎态度，由于客户库存仍然很高，NAND Flash已亏损数十亿美元。

　　SK海力士与三星在HBM的竞争日益激烈

　　上个月，SK海力士联合首席执行官Kwak Noh-jung表示，如果该公司成为专业DRAM产品的顶级制造商，特别是在人工智能时代，该公司将能够超越存储器领导者三星。

　　在HBM DRAM领域，SK海力士多年来一直处于领先地位。

　　该公司于2013年成为第一家开发第一代HBM芯片的存储器供应商，并在随后几年推出了后续产品——HBM2、HBM2E以及最新和第四代HBM3芯片。

　　今年4月，SK表示，它开发了世界上第一款12层HBM3 DRAM产品，其存储容量为24 GB，是业界最大的。

　　8月，该公司推出了HBM3E，这是业界性能最好的人工智能应用DRAM芯片，并向其客户英伟达公司提供了样品进行性能评估。

　　根据TrendForce的数据，预计到2027年，全球HBM市场将从今年的39亿美元增长到89亿美元。HBM芯片的价格至少是商品化DRAM芯片的五倍。

　　随着最近DRAM价格的整体上涨，SK海力士有望在明年实现盈利。

　　TrendForce数据显示，10月份DRAM合约价格为1.5美元，比上月上涨15.4%。

　　SK海力士2024年营业利润的市场共识为8.44万亿韩元，而今年的营业亏损预计为8.43万亿韩元。

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