三星电子已被证实成立了一个新的下一代存储器研发组织，以抢占3D DRAM(通常被称为“梦想存储器”)的市场

据业内人士1月28日透露，三星电子的半导体(DS)部门最近在其半导体美国总部(DSA)硅谷成立了一个尖端存储器研发机构。该组织由三星电子DS部门首席技术官兼半导体研究所所长宋在惠领导，致力于3D DRAM的开拓性研究。

3D DRAM被吹捧为存储器半导体行业的“游戏规则改变者”，可能会彻底改变全球DRAM市场格局。虽然当前的DRAM具有单元密集排列在单个平面上的2D结构，但3D DRAM可以通过增加同一区域的密度来显著提高性能，无论是通过水平放置单元并将其向上堆叠，还是通过使用具有双层单元结构的垂直方法。

三星电子凭借其在2013年成为世界上第一个将3D垂直结构NAND商业化的公司的经验，也计划在DRAM领域押注3D。去年10月，在硅谷举行的2023年三星存储器技术日上，存储器业务总裁Lee Jeong-bae宣布，“我们将率先在10纳米以下的DRAM中引入3D垂直新结构。”

在去年日本举行的超大规模集成电路研讨会上，三星电子还发表了一篇包含3D DRAM研究结果的论文，并提供了作为实际半导体实现的3D DRAM的详细图像。

业内专家认为，最早开发和大规模生产3D DRAM的公司将在下一代DRAM市场占据领先地位，反映出NAND闪存市场的分层竞争。

三星电子计划以新组织为中心，积极在硅谷招募优秀的开发人才，并与各种半导体生态系统进行合作。据报道，1月17日，来自应用材料、林研究和KLA等全球设备公司的主要高管出席了新组织的开幕式

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