高通尚未发布 Snapdragon 8 Gen 4.据报道,它的性能比去年的 Snapdragon 8 Gen 3 有了显着提升。然而,爆料者已经透露了 Snapdragon 8 Gen 5 芯片组的一个版本的时钟速度。
据报道,Snapdragon 8 Gen 5 保留了即将推出的 Snapdragon 8 Gen 4 的 2+6 核心架构。根据提示者的说法,性能核心的时钟速度可能高达 5GHz,而六个效率核心的峰值可能达到 4GHz。更不用说,它暗示了 Galaxy S2025 Ultra 等 2026 年和 2026 年旗舰产品令人印象深刻的性能提升。
他还补充说,骁龙 8 Gen 5 将是第一款基于台积电第三代 3nm (N3P) 工艺节点构建的骁龙芯片。它显然有望显着提高功率和效率。然而,这些速度代表了 TSMC 制造的芯片变体。
有趣的是,据报道,高通计划从台积电和三星代工采购 Snapdragon 8 Gen 5.三星版本的芯片将使用该公司的 2nm (SF2) 工艺节点。
虽然三星制造的版本的确切时钟速度仍未披露,但三星基于 4nm 的 Exynos 2400 芯片组的最新发展表明,该公司在工艺技术方面取得了长足的进步。
考虑到过去的挑战,高通与 Samsung Foundry 合作的决定值得注意。三星之前制造了 Snapdragon 888 和 Snapdragon 8 Gen 1.这两款产品都存在过热问题和良率欠佳。这些挫折促使高通公司转回台积电生产后来的芯片。它导致 Snapdragon 8 Gen 2 和去年的 Snapdragon 8 Gen 3 的性能和能效得到显着提升。
自 Snapdragon 8 Gen 1 发布以来,高通一直依赖台积电的芯片,每一代新产品都提供了显着的性能和效率提升。看看 Samsung Foundry 是否能够克服过去的障碍并匹配台积电版本的 Snapdragon 8 Gen 5 芯片组的性能,这将是一件有趣的事情。
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