高通尚未发布 Snapdragon 8 Gen 4.据报道，它的性能比去年的 Snapdragon 8 Gen 3 有了显着提升。然而，爆料者已经透露了 Snapdragon 8 Gen 5 芯片组的一个版本的时钟速度。

　　据报道，Snapdragon 8 Gen 5 保留了即将推出的 Snapdragon 8 Gen 4 的 2+6 核心架构。根据爆料者的说法，性能核心的时钟速度可能高达 5GHz，而六个效率核心的峰值可能达到 4GHz。更不用说，它暗示了 Galaxy S2025 Ultra 等 2026 年和 2026 年旗舰产品令人印象深刻的性能提升。

　　他还补充说，骁龙 8 Gen 5 将是第一款基于台积电第三代 3nm (N3P) 工艺节点构建的骁龙芯片。它显然有望显着提高功率和效率。然而，这些速度代表了 TSMC 制造的芯片变体。

　　有趣的是，据报道，高通计划从台积电和三星代工采购 Snapdragon 8 Gen 5。三星版本的芯片将使用该公司的 2nm (SF2) 工艺节点。

　　虽然三星制造的版本的确切时钟速度仍未披露，但三星基于 4nm 的 Exynos 2400 芯片组的最新发展表明，该公司在工艺技术方面取得了长足的进步。

　　考虑到过去的挑战，高通与 Samsung Foundry 合作的决定值得注意。三星之前制造了 Snapdragon 888 和 Snapdragon 8 Gen 1.这两款产品都存在过热问题和良率欠佳。这些挫折促使高通公司转回台积电生产后来的芯片。它导致 Snapdragon 8 Gen 2 和去年的 Snapdragon 8 Gen 3 的性能和能效得到显着提升。

　　自 Snapdragon 8 Gen 1 发布以来，高通一直依赖台积电的芯片，每一代新产品都提供了显着的性能和效率提升。看看 Samsung Foundry 是否能够克服过去的障碍并匹配台积电版本的 Snapdragon 8 Gen 5 芯片组的性能，这将是一件有趣的事情。

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