随着联发科天玑 9400 正式发布，所有人的目光都集中在高通即将推出的强者骁龙 8 Elite 上。

　　到目前为止的传言表明，由于其超过 4GHz 的快速 Prime 内核，SoC 性能令人印象深刻。然而，高通的这种原始电力推动可能是有代价的——毫不夸张地说，在热量产生和电池寿命方面。

　　在过去的几周里，我们看到了 Snapdragon 8 Elite 芯片的三种版本的基准测试。

　　标准版本的基本频率似乎为 2.78GHz，峰值为 4.09GHz。与此同时，据报道，三星正在为其 Galaxy S25 系列测试两个超频版本，速度达到 2.90GHz/4.19GHz 和 3.53GHz/4.47GHz——这是手机的桌面级领域!

　　然而，如果要相信新的谣言，这些数字可能弊大于利。根据泄漏事件，即使是标准的 Snapdragon 8 Elite 芯片版本也可能在热管理和电池效率方面遇到困难。

　　Snapdragon 8 Elite：性能炽热，火热？

　　据报道，即使在正常使用情况下，这种硅也能消耗超过 20W 的功率，并达到 98.5°C (209.5°F) 的灼热温度。根据该报告，再多的限制都无法降低功耗或让事情降温。

　　特别令人担忧的是，这次泄漏据说来自该芯片的“官方版本”——尽管是三个月前的版本。这种高功率消耗可以解释为什么品牌有望在配备该芯片的旗舰手机中包含超过 6000mAh 的电池。

　　不过，还是有一线希望。三个月是一段相当长的开发时间，高通可能在优化芯片方面取得了相当大的进展。希望他们在本月晚些时候正式发布之前已经解决了这些热和电力问题。

关键词：高通骁龙

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