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三星第9代V-NAND进入量产:比第8代V-NAND快33%

三星第9代V-NAND进入量产:比第8代V-NAND快33%
2024-04-24 15:39:28 来源:聚焦媒体网

三星宣布开始量产第 9 代 V-NAND 闪存,与市场上已有的第 8 代 V-NAND 相比,其性能提升了 33%。

三星的公告涉及其 1 太比特 (Tb) 三级单元 (TLC) 第九代垂直 NAND (V-NAND) 的量产,三星表示,这巩固了其在 NAND 闪存市场的领导地位。三星拥有业界最小的单元尺寸和最薄的模具,使该公司能够将第 9 代 V-NAND 的位密度比第 8 代 V-NAND 提高约 50%。

三星的全新第九代 V-NAND 融入了避免单元干扰和延长单元寿命等领域的创新,提高了产品质量和可靠性,同时消除了虚拟通道孔,从而显着减小了存储单元的平面面积。

三星电子内存业务闪存产品与技术主管 SungHoi Hur 表示:“我们很高兴能够推出业界首款第 9 代 V-NAND,它将带来未来应用的飞跃。为了满足不断变化的需求, NAND 闪存解决方案,三星突破了下一代产品的单元架构和操作方案的界限,通过我们最新的 V-NAND,三星将继续引领高性能、高密度固态硬盘的趋势。 SSD)市场满足即将到来的人工智能一代的需求”。

功耗也得到了改善,三星声称,由于低功耗设计的进步,与第 8 代 V-NAND 相比,功耗降低了 10%。三星本月开始量产 1Tb TLC 第 9 代 V-NAND,随后将于 2024 年下半年推出四级单元 (QLC) 型号。

关键词:三星V-NAND 闪存

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